韩国芯片制造商SK海力士刚刚宣布完成对下一代1z nm工艺内存的研发，生产率提高约27%，功耗降低40%。采用新工艺的16Gb DRAM内存芯片将从2020年起投入批量生产，单条32GB内存将更加普及。

前不久PCEVA曾报道过三星停产B die，并用1z nm工艺的A Die全面取而代之的消息。那么1z nm到底是多少纳米？为什么SK海力士在新闻稿中特别说明1z nm工艺不会使用EUV极紫外光刻，难道技术不是越先进越好吗？

1x/1y/1z是指内存进入10~20nm阶段后发展出的三代工艺，并没有明确的纳米数据。一般认为1x阶段是18nm到19nm，1y可能覆盖14nm到16nm，而新一代1z则可能对应12nm至14nm。由于半导体制程微缩陷入瓶颈，新工艺的成本居高不下，追逐性能的芯片（CPU、GPU）会优先使用最新的工艺节点，而DRAM内存则必须考虑到成本的问题。

相比当前使用193nm波长深紫外光的当代DUV工艺，新的EUV极紫外光使用13.5nm波长的激光。EUV光刻机的单台价格超过1亿美元。

光刻机购置成本的增长只是其中一方面，EUV的广泛应用目前还面临很多技术和成本障碍，生产效率难以提升。所以半导体制造商现阶段都在尽可能地避免使用EUV，或者只在关键步骤使用EUV光刻。

目前三星、美光和SK海力士三家主要DRAM内存制造商的1z nm工艺中都没有使用到EUV光刻。相信随着未来技术的发展，更加先进的EUV光刻会有具备综合成本优势的那一天。